Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2 BASiC SEMICONDUCTOR
Toote kood: B2D20120H1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 44 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2 BASiC SEMICONDUCTOR
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 159W; TO247-2
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
B2D20120H1
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B2D20120H1
Product ID
U-2709844
Case
TO247-2
Kind of package
tube
Leakage current
40µA
Load current
20A
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Max. forward impulse current
190A
Max. forward voltage
1.78V
Max. off-state voltage
1.2kV
Mounting
THT
Power dissipation
159W
Semiconductor structure
single diode
Technology
SiC
Type of diode
Schottky rectifying
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
