IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A ONSEMI
Toote kood: NCP5181DR2G
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-24 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 1879 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A ONSEMI
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP5181DR2G
Product ID
U-2193468
Case
SO8
Impulse rise time
60ns
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-2.2...1.4A
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
40ns
Supply voltage
10...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
Voltage class
600V
Product code
NCP5181DR2G
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
