Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Tootekood: MG25P12P3-YAN
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
MG25P12P3-YAN
Supplier's product code
MG25P12P3-YAN
Product ID
U-2731860
Application
motors
Case
P3
Collector current
25A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
50A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].