Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench VISHAY
Tootekood: VS-GT300YH120N
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench VISHAY
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
VS-GT300YH120N
Supplier's product code
VS-GT300YH120N
Product ID
U-3916901
Case
Dual INT-A-Pak
Collector current
300A
Electrical mounting
screw
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
VISHAY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
720A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
MOSFET half-bridge + serial diodes
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].