Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Tootekood: SKIIP02NAC12T4V1
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 3,49 - 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A SEMIKRON DANFOSS
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-3122350
NomNr
SKIIP02NAC12T4V1
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 4A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SKIIP02NAC12T4V1
Application
for UPS
Case
MiniSKiiP® 0
Collector current
4A
Electrical mounting
Press-Fit
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
SEMIKRON DANFOSS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
12A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
SKIIP02NAC12T4V1
Product ID
U-3122350
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].