Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMTH10H005SCT
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W; TO220AB
Параметры товара поставщика
NomNr
DMTH10H005SCT
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMTH10H005SCT
Product ID
U-2467551
Case
TO220AB
Drain current
99A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
111.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
3.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
187W
Pulsed drain current
400A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
