Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET ONSEMI

Номер продукта: FDMA86108LZ
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
1.40
5-24
1.26
25-99
1.11
100-499
1.01
500+
0.93
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

1.40
2024-06-04 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-06-04 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET ONSEMI

Спецификации

Артикул
U-2721311
NomNr
FDMA86108LZ

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET

Параметры товара поставщика

Case
MicroFET
Drain current
2.2A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
3nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
446mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.4W
Pulsed drain current
6A
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
FDMA86108LZ
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDMA86108LZ
Product ID
U-2721311
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].