Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN TOSHIBA
Toote kood: GT50JR22
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-15 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 274 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Case
TO3PN
Collector current
44A
Collector-emitter voltage
600V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage
±25V
Kind of package
tube
Manufacturer
TOSHIBA
Mounting
THT
Power dissipation
115W
Pulsed collector current
100A
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
330ns
Turn-on time
250ns
Brand
TOSHIBA
Supplier's product code
GT50JR22
Product ID
U-199615
NomNr
GT50JR22
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
