Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Tootekood: SGT120R65AL
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SGT120R65AL
Supplier's product code
SGT120R65AL
Product ID
U-3885488
Case
PowerFLAT 5x6
Drain current
9A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
3nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
192W
Pulsed drain current
36A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Brand
STMicroelectronics
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].