Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W STMicroelectronics
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SCT30N120
Supplier's product code
SCT30N120
Product ID
U-320862
Case
HIP247™
Drain current
34A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
105nC
Gate-source voltage
-10...25V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
270W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].