Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W INFINEON TECHNOLOGIES
Tootekood: IMZA65R048M1HXKSA1
Foto on illustratiivne. Toote täpseid tehnilisi parameetreid vaadake kirjeldusest.
Kättetoimetamise tähtajad
2025-11-27 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 220 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W INFINEON TECHNOLOGIES
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IMZA65R048M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZA65R048M1HXKSA1
Product ID
U-1876360
Case
TO247-4
Drain current
24A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
63mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].