Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A VISHAY
Tootekood: SIR626LDP-T1-RE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Üle 50,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
50,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 5,00 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.
3,50
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A VISHAY
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 186A; Idm: 400A
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIR626LDP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR626LDP-T1-RE3
Product ID
U-3116486
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
186A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
135nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
104W
Pulsed drain current
400A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].