Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A VISHAY
Toote kood: SI3552DV-T1-E3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-16 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2999 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SI3552DV-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI3552DV-T1-E3
Product ID
U-3822838
Case
TSOP6
Drain current
2.5/-1.8A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate charge
3.6/3.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
360/175mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.15W
Pulsed drain current
-7...8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
