💼 Kas soovite saada meie ärikliendiks? Saatke palun oma soov e-maili aadressile [email protected]
💼 Kas soovite saada meie ärikliendiks? [email protected]
LEMONA

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A VISHAY

Tootekood: SISS23DN-T1-GE3
Foto on illustratiivne. Toote täpseid tehnilisi parameetreid vaadake kirjeldusest.
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Toode pole saadaval.

Soovitame valida:

Selle kategooria teised tooted

Kättetoimetamise tähtajad

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

Üle 50,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

50,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

5,00 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

3,50

Kauba kirjeldus

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-3822851
Bränd
NomNr
SISS23DN-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A

Tarnija toote parameetrid

Product code
SISS23DN-T1-GE3
Supplier's product code
SISS23DN-T1-GE3
Product ID
U-3822851
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
-50A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
300nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
4.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
-200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].