Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; T2 SEMIKRON DANFOSS
Toote kood: SK35GAL12T4
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 29 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; T2 SEMIKRON DANFOSS
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-325712
NomNr
SK35GAL12T4
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; T2
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Supplier's product code
SK35GAL12T4
Product ID
U-325712
Application
for UPS
Case
SEMITOP2
Collector current
35A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
SEMIKRON DANFOSS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
105A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of module
IGBT
Topology
boost chopper
Version
T2
Product code
SK35GAL12T4
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
