LEMONA

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tootekood: GD10PJX65F1S
Foto on illustratiivne. Toote täpseid tehnilisi parameetreid vaadake kirjeldusest.
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-2
49.5049.50
3-9
43.80
10-24
39.35
25+
36.75
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

49.50
2026-06-11 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2026-06-11 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval21 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

Üle 50,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

50,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

5,00 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A STARPOWER SEMICONDUCTOR

Tehnilised andmed

Laokood
U-2964918
NomNr
GD10PJX65F1S

Tarnija toote kirjeldus

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A

Tarnija toote parameetrid

Product code
GD10PJX65F1S
Supplier's product code
GD10PJX65F1S
Product ID
U-2964918
Case
F1.1
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
650V
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Trench FS IGBT
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].