Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Toote kood: GD10PJY120L2S
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-02 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tehnilised andmed
Laokood
U-2964917
NomNr
GD10PJY120L2S
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Tarnija toote parameetrid
Product code
GD10PJY120L2S
Case
L2.2
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD10PJY120L2S
Product ID
U-2964917
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
