Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Номер продукта: GD10PJY120L2S
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-02 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Спецификации
Артикул
U-2964917
NomNr
GD10PJY120L2S
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Параметры товара поставщика
Product code
GD10PJY120L2S
Case
L2.2
Collector current
10A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
20A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD10PJY120L2S
Product ID
U-2964917
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
