Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A VISHAY
Номер продукта: SI3552DV-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2999 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Параметры товара поставщика
NomNr
SI3552DV-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI3552DV-T1-E3
Product ID
U-3822838
Case
TSOP6
Drain current
2.5/-1.8A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate charge
3.6/3.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
360/175mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.15W
Pulsed drain current
-7...8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
