LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD VISHAY

Tootekood: SQ2364EES-T1-GE3
Foto on illustratiivne. Toote täpseid tehnilisi parameetreid vaadake kirjeldusest.
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid

Hinnapiirid

KogusHind KM-ga (tk)
1-9
1.451.45
10-24
1.05
25-49
0.85
50-99
0.75
100+
0.65
B2B

Min. kogus: 1

Mitmekordsus: 1

Kokku:

1.45
2026-08-27 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kättetoimetamise tähtajad

2026-08-27 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev

Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.

Saadaval3114 tk

Tarnija ladu

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

Üle 50,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

50,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

5,00 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 50,00 € toimetatakse kohale tasuta.

3,50 €

Kauba kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD VISHAY

Tehnilised andmed

Laokood
U-336408
Bränd
NomNr
SQ2364EES-T1-GE3

Tarnija toote kirjeldus

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD

Tarnija toote parameetrid

Product code
SQ2364EES-T1-GE3
Supplier's product code
SQ2364EES-T1-GE3
Product ID
U-336408
Case
SOT23
Drain current
1.3A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
2nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
245mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].