Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB VISHAY
Tootekood: SIHP068N60EF-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 25,00 € toimetatakse kohale tasuta.
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.Tellimused üle 25,00 € toimetatakse kohale tasuta.
Tasuta
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB VISHAY
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIHP068N60EF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP068N60EF-GE3
Product ID
U-3046039
Case
TO220AB
Drain current
26A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
77nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
115A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].