Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Toote kood: MG35P12P3-YAN
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3 YANGJIE TECHNOLOGY
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; P3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Application
motors
Case
P3
Collector current
35A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
70A
Semiconductor structure
diode/transistor
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
NomNr
MG35P12P3-YAN
Product ID
U-2731861
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Supplier's product code
MG35P12P3-YAN
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
