Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W NEXPERIA
Toote kood: PHT6NQ10T.135
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-13 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W
Tarnija toote parameetrid
Product code
PHT6NQ10T.135
Case
SOT223
Drain current
6.5A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
90mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.3W
Pulsed drain current
26A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PHT6NQ10T.135
Product ID
U-2734278
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
