Diode: switching; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA ONSEMI
Toote kood: 1N5401G
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-06-04 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 501 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Diode: switching; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA ONSEMI
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Diode: switching; THT; 100V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Tarnija toote parameetrid
Case
DO27
Leakage current
50µA
Load current
3A
Manufacturer
ONSEMI
Max. forward impulse current
200A
Max. forward voltage
1V
Max. off-state voltage
100V
Mounting
THT
Semiconductor structure
single diode
Type of diode
switching
Product code
1N5401G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
1N5401G
Product ID
U-2204507
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
