Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268 IXYS
Toote kood: IXBT10N170
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 29 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
IXBT10N170
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXBT10N170
Product ID
U-220340
Case
TO268
Collector current
10A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
30nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
140W
Pulsed collector current
40A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
1.8µs
Turn-on time
63ns
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
