Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W INFINEON TECHNOLOGIES
Toote kood: IMZ120R220M1HXKSA1
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-23 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IMZ120R220M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZ120R220M1HXKSA1
Product ID
U-1876357
Case
TO247-4
Drain current
9.5A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-7...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
416mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
37.5W
Pulsed drain current
21A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
