Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; 1.6W NEXPERIA
Toote kood: PMPB85ENEAX
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; 1.6W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
PMPB85ENEAX
Supplier's product code
PMPB85ENEAX
Product ID
U-292010
Case
DFN2020MD-6
Drain current
1.9A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
9.2nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.175Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Pulsed drain current
12A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
