Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A VISHAY
Toote kood: SISS10ADN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-08 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SISS10ADN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS10ADN-T1-GE3
Product ID
U-3046213
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
86.8A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
61nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.95mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
