Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.5/-4.5A VISHAY
Toote kood: SIA519EDJ-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-22 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.5/-4.5A
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SIA519EDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA519EDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116318
Drain current
4.5/-4.5A
Drain-source voltage
20/-20V
Gate charge
16/12nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
137/65mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
7.8W
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
