Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B IXYS
Toote kood: IXDN55N120D1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-27 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
IXDN55N120D1
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXDN55N120D1
Product ID
U-220406
Case
SOT227B
Collector current
62A
Electrical mounting
screw
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
IXYS
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
450W
Pulsed collector current
124A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
NPT
Type of module
IGBT
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
