Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Toote kood: GD35PJY120L3S
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-17 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 16 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tehnilised andmed
Laokood
U-2964930
NomNr
GD35PJY120L3S
Tarnija toote kirjeldus
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Tarnija toote parameetrid
Product code
GD35PJY120L3S
Case
L3.0
Collector current
35A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
70A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
Advanced Trench FS IGBT
Type of module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Supplier's product code
GD35PJY120L3S
Product ID
U-2964930
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
