Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 18A; 640mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN3060LWQ-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 18A; 640mW; SOT323 DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 18A; 640mW; SOT323
Tarnija toote parameetrid
NomNr
DMN3060LWQ-7
Supplier's product code
DMN3060LWQ-7
Product ID
U-2876168
Case
SOT323
Drain current
2.1A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
5.6nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
640mW
Pulsed drain current
18A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
