Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W IXYS
Toote kood: IXTY1R4N120P
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-07 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
IXTY1R4N120P
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXTY1R4N120P
Product ID
U-221559
Case
TO252
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
standard power mosfet
Gate charge
24.8nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
On-state resistance
13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
86W
Pulsed drain current
3A
Reverse recovery time
900ns
Technology
Polar™
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
