Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23 VISHAY
Toote kood: SI2342DS-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2951 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-5 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SI2342DS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2342DS-T1-GE3
Product ID
U-3822832
Case
SOT23
Drain current
6A
Drain-source voltage
8V
Gate charge
15.8nC
Gate-source voltage
±5V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
17mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Pulsed drain current
30A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
