Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Toote kood: FDN306P
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-09 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 830 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 ONSEMI
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
FDN306P
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDN306P
Product ID
U-187000
Case
SuperSOT-3
Drain current
-2.6A
Drain-source voltage
-12V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.5W
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
