Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W VISHAY
Toote kood: SISS05DN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-05-07 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2765 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kulleriga koju (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele (1-4 tööpäeva, kui toode on laos olemas)
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
NomNr
SISS05DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS05DN-T1-GE3
Product ID
U-324948
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
-86.6A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
115nC
Gate-source voltage
-20...16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
5.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42W
Pulsed drain current
-300A
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
